фото Трехмерные транзисторы

Похоже, мир микроэлектроники снова стоит на пороге важных открытий. Сотрудникам Гарварда и Пердью удалось разработать транзисторы, кардинально отличающиеся от ныне существующих. Это открытие может вытеснить кремний из микропроцессорной техники и создать уже трехмерные микрочипы, что приведет к более экономичному производству микросхем и уменьшение их размеров. Потенциально после такого открытия на шаг вперед уйдет производство ультрабуков, смартфонов и подобной техники. Новая технология заменит производство чипов из кремния на новый материал – твердосплав индий-галий-мышьяка. Важным пунктом является то, что даже после такого радикального изменения состава производства чипов не нужно будет перестраивать существующие цеха и новый техпроцесс должен внедриться без потерь.

Уже в грядущем году планируется производство чипов с вертикальной структурой на основе кремния.
Новый полупроводник наверняка станет преемником кремния, так как множество инженеров и ученых утверждают о большом потенциале и лучших физических свойств галлий-индий-мышьяк сплава. Такие нанопроводники будут применяться в производстве 10-нм микросхем и каналов транзисторов, и обладать в 5 раз большей скоростью заряда. Однако для такого техпроцесса нужен новый диэлектрический материал, так как на данный момент это диоксид кремния, который допускает даже при 14-нм технологии большие утечки.

Возможной заменой диоксида кремния могут стать диоксиды алюминия или гафния. Единственной помехой для старта нового техпроцесса является его сложная интеграция, придется перестраивать стандартные методы производства. Таким новым методом может стать атомно-слоевое охлаждение, не требующее, кстати, больших затрат. С помощью данного метода уже производятся затворы для транзисторов с улучшенными характеристиками.